Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36729
Title: Методика исследования малых изменений структуры теплового сопротивления мощных ДМОП транзисторов
Authors: Горчанин, Д. И.
Keywords: материалы конференций;тепловая релаксационная дифференциальная спектрометрия;ДМОП транзисторы
Issue Date: 2019
Publisher: БГУИР
Citation: Горчанин, Д. И. Методика исследования малых изменений структуры теплового сопротивления мощных ДМОП транзисторов / Горчанин Д. И. // Электронные системы и технологии : 55-я юбилейная конференция аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 22-26 апреля 2019 г. : сборник тезисов докладов / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск : БГУИР, 2019. – С. 93 – 94.
Abstract: Методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии (ТРДС), были исследованы профили растекания теплового потока и структура внутреннего теплового сопротивления экспериментальных мощных ДМОП транзисторов КП7209, КП723, изготовленных при различных температурных режимах и методах посадки кристалла. Для оценки надежности транзисторов проводились испытания на длительное воздействие термоударом в интервале температур от – 196 до +200°С с контролем тепловых параметров через каждые 100 термоударов.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36729
Appears in Collections:Электронные системы и технологии : материалы 55-й юбилейной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2019)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Gorchanin_Metodika.pdf929.61 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.