| Citation: | Мишуто, В. А. Изготовление Cu2ZnSnS4 слоев для солнечных элементов методом трафаретной печати / В. А. Мишуто // Моделирование, компьютерное проектирование и технология производства электронных средств : материалы 48–ой научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 7–11 мая 2012 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: М. П. Батура [и др.]. – Минск, 2012. – С. 40. |
| Abstract: | Cu2ZnSnS4 слои были успешно изготовлены на гибкой полиимид подложке методом трафаретной печати. . Ширина запрещенной зоны, сопротивление слоя, концентрации носителей, и холавская подвижность слоев Cu2ZnSnS4, полученных методом трафаретной печати, были 1.49 эВ, 2.42*103 Ом, 3.81*1018 см-3, и 12.61 см2 V-1 s-s при 25◦С, соответственно. Плотность тока короткого замыкания, напряжение холостого хода, коэффициент заполнения, и эффективность обыкновенной фотогальванической ячейки с активной площадью 0.15 см2 были 4.76 мА/см2, 386 мВ,0.27, и 0,49%, соответственно. |
