Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37809
Title: Тонкопленочные транзисторы с InGaZnO-полупроводниковым слоем для активно-матричной адресации
Authors: Казаркин, Б. А.
Степанов, А. А.
Муха, Е. В.
Захарченя, И. И.
Хохлов, Е. А.
Смирнов, А. Г.
Keywords: доклады БГУИР;оксид индия-галлия-цинка;прозрачные проводящие слои;дисплейная техника.
Issue Date: 2019
Publisher: БГУИР
Citation: Тонкопленочные транзисторы с InGaZnO-полупроводниковым слоем для активно-матричной адресации / Б. А. Казаркин [и др.] // Доклады БГУИР. – 2019. – № 7 (125). – С. 101-106. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2019-125-7-101-106.
Abstract: В работе представлены результаты исследования тонкопленочных транзисторов на основе полупроводникового соединения InGaZnO (IGZO) для активно-матричной адресации дисплеев, формируемого методом магнетронного плазмохимического осаждения. Исследованы их структурно- морфологические и электрофизические свойства. Проведен анализ подвижности носителей заряда методом Холла. Изучено влияние отжига в вакууме, атмосфере кислорода и атмосфере азота на размер зерен пленки IGZO. Полученные слои характеризуются высокой подвижностью носителей заряда, что позволяет их использовать при изготовлении ЖК- и OLED-дисплеев нового поколения.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37809
Appears in Collections:№7 Спецвыпуск (125)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Kazarkin_Tonkoplenochnyye.pdf1.42 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.