https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37809| Title: | Тонкопленочные транзисторы с InGaZnO-полупроводниковым слоем для активно-матричной адресации |
| Authors: | Казаркин, Б. А. Степанов, А. А. Муха, Е. В. Захарченя, И. И. Хохлов, Е. А. Смирнов, А. Г. |
| Keywords: | доклады БГУИР;оксид индия-галлия-цинка;прозрачные проводящие слои;дисплейная техника. |
| Issue Date: | 2019 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Тонкопленочные транзисторы с InGaZnO-полупроводниковым слоем для активно-матричной адресации / Б. А. Казаркин [и др.] // Доклады БГУИР. – 2019. – № 7 (125). – С. 101-106. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2019-125-7-101-106. |
| Abstract: | В работе представлены результаты исследования тонкопленочных транзисторов на основе полупроводникового соединения InGaZnO (IGZO) для активно-матричной адресации дисплеев, формируемого методом магнетронного плазмохимического осаждения. Исследованы их структурно- морфологические и электрофизические свойства. Проведен анализ подвижности носителей заряда методом Холла. Изучено влияние отжига в вакууме, атмосфере кислорода и атмосфере азота на размер зерен пленки IGZO. Полученные слои характеризуются высокой подвижностью носителей заряда, что позволяет их использовать при изготовлении ЖК- и OLED-дисплеев нового поколения. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37809 |
| Appears in Collections: | №7 Спецвыпуск (125) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Kazarkin_Tonkoplenochnyye.pdf | 1.42 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.