Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/3789
Title: Приборно-технологическое моделирование наноразмерных МОП-транзисторов
Other Titles: Technology and device nanoscale MOSFETS simulation
Authors: Чан Туан Чунг
Боровик, А. М.
Ловшенко, И. Ю.
Стемпицкий, В. Р.
Кулешов, А. А.
Keywords: наноразмерный МОП-транзистор;моделирование;квантовая коррекция
Issue Date: 2014
Publisher: БГУИР
Citation: Приборно- технологическое моделирование наноразмерных МОП-транзисторов / Чан Туан Чунг [ и др.] // Доклады БГУИР. - 2014. - № 7 (85). - С. 21 - 27.
Abstract: Посредством компьютерного моделирования получены вольтамперные характеристики наноразмерных МОП-транзисторов и проведен их анализ. Выявлена неадекватность классических моделей для моделирования наноразмерных структур, а также непригодность использования методов прямого квантового описания для исследований, требующих проведения большого количества компьютерных экспериментов.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/3789
Appears in Collections:№7 (85)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Chan_Priborno.PDF1.03 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.