https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/3789| Title: | Приборно-технологическое моделирование наноразмерных МОП-транзисторов |
| Other Titles: | Technology and device nanoscale MOSFETS simulation |
| Authors: | Чан Туан Чунг Боровик, А. М. Ловшенко, И. Ю. Стемпицкий, В. Р. Кулешов, А. А. |
| Keywords: | наноразмерный МОП-транзистор;моделирование;квантовая коррекция |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Приборно- технологическое моделирование наноразмерных МОП-транзисторов / Чан Туан Чунг [ и др.] // Доклады БГУИР. - 2014. - № 7 (85). - С. 21 - 27. |
| Abstract: | Посредством компьютерного моделирования получены вольтамперные характеристики наноразмерных МОП-транзисторов и проведен их анализ. Выявлена неадекватность классических моделей для моделирования наноразмерных структур, а также непригодность использования методов прямого квантового описания для исследований, требующих проведения большого количества компьютерных экспериментов. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/3789 |
| Appears in Collections: | №7 (85) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Chan_Priborno.PDF | 1.03 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.