Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/40867
Title: Электрофизические свойства пленок оксида ванадия, нанесенных методом реактивного магнетронного распыления
Other Titles: Electrophysical properties of vanadium oxide films deposited by reactive magnetron sputtering
Authors: Нгуен, Т. Д.
Занько, А. И.
Голосов, Д. А.
Завадский, С. М.
Мельников, С. Н.
Колос, В. В.
Nguen, T. D.
Zanko, A. I.
Golosov, D. A.
Zavadski, S. M.
Melnikov, S. N.
Kolos, V. V.
Keywords: доклады БГУИР
оксид ванадия
реактивное магнетронное распыление
тонкие пленки
микроболометр
vanadium oxide
reactive magnetron sputtering
thin films
microbolometer
Issue Date: 2020
Publisher: БГУИР, РБ
Citation: Электрофизические свойства пленок оксида ванадия, нанесенных методом реактивного магнетронного распыления / Нгуен Т. Д. [и др.] // Доклады БГУИР. – 2020. – № 18 (6). – С. 94–102. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-6-94-102.
Abstract: Целью работы являлось исследование влияния состава газовой среды в процессе распыления на электрофизические характеристики пленок оксида ванадия, нанесенных методом импульсного реактивного магнетронного распыления ванадиевоaй мишени в среде Ar/O2 рабочих газов. Получены зависимости напряжения разряда магнетрона, скорости нанесения, удельного сопротивления, температурного коэффициента сопротивления (ТКС), ширины оптической запрещенной зоны пленок оксида ванадия от концентрации кислорода в смеси газов. Установлено, что при реактивном магнетроном распылении формируются аморфные пленки оксида ванадия. Показано, что электрофизические свойства нанесенных пленок оксида ванадия имеют сильную зависимость от концентрации кислорода в Ar/O2 смеси газов, что связано с образованием в пленке смеси различных промежуточных оксидов ванадия. Установлено, что с точки зрения использования пленок оксида ванадия в качестве термочувствительных слоев пленки необходимо наносить при концентрациях кислорода в смеси газов от 17 до 25 %. При данных концентрациях кислорода без нагрева подложек получены пленки оксида ванадия с удельным сопротивлением (0,6–4,0)·10-2 Ом·м, ТКС 2,2–2,3 %/°C и шириной запрещенной зоны для прямых переходов 3,7–3,78 эВ. Полученные характеристики позволяют использовать данные пленки в качестве термочувствительных слоев микроболометров.The aim of this work was to study the effect of the gas composition during sputtering on the electrophysical properties of vanadium oxide films deposited by pulsed reactive magnetron sputtering of a vanadium target in an Ar/O2 medium of working gases. The dependences of the magnetron discharge voltage, deposition rate, resistivity, temperature coefficient of resistance (TCR), and the band gap of vanadium oxide films on the oxygen concentration in the gas mixture are obtained. It was found that amorphous films of vanadium oxide are formed during reactive magnetron sputtering. It is shown that the properties of the deposited vanadium oxide films have a strong dependence on the oxygen concentration in the Ar/O2 gas mixture, which is associated with the formation of a mixture of various intermediate vanadium oxides in the film. It was found that from the point of view of using vanadium oxide films as thermosensitive layers of microbolometers, the films must be deposited at oxygen concentrations in the gas mixture of 17 to 25 %. At the given oxygen concentrations without heating the substrates, vanadium oxide films with a resistivity (0.6–4.0)·10-2 Ohm·m, TCR 2.2–2.3%/°C and a band gap for direct transitions of 3.7–3.78 eV. The obtained characteristics make it possible to use these films as thermosensitive layers of microbolometers.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/40867
Appears in Collections:№ 18(6)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Nguyen_Elektrofizicheskiye.pdf777,76 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.