Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42324
Title: Формирование пленок оксида тантала на подложках диаметром 200 миллиметров
Other Titles: Formation of tantalum oxide films on substrates with a diameter of 200 mm
Authors: Вилья, Н.
Голосов, Д. А.
Мельников, С. Н.
Нгуен, Т. Д.
Голосов, А. Д.
Keywords: публикации ученых;оксид тантала;тонкие пленки;реактивное магнетронное распыление;МДП структура;диэлектрические свойства;tantalum oxide;thin films;reactive magnetron sputtering;MOS structure;dielectric properties
Issue Date: 2020
Publisher: Гомельский государственный университет имени Ф. Скорины, РБ
Citation: Формирование пленок оксида тантала на подложках диаметром 200 миллиметров = Formation of tantalum oxide films on substrates with a diameter of 200 mm / Н. Вилья [и др.] // Проблемы физики, математики и техники. – 2020. – № 1 (42). – С. 12–17.
Abstract: В результате исследований процессов реактивного магнетронного распыления Ta мишени в среде Ar/O2 рабочих газов установлено, что формирование диэлектрических пленок наблюдается при концентрациях O2 более 50% и определяется энтальпией образования оксида из исходного металла. Использование высоковакуумного распыления позволяет стабилизировать процесс без использования систем обратной связи. Показано, что при нанесении пленок оксида тантала на вращающуюся подложку  200 мм возможно получение слоев с неравномерностью толщины менее ±2.4% и неравномерностью распределения емкости и тангенса угла диэлектрических потерь менее ±18%. As a result of studies of the processes of reactive magnetron sputtering of a Ta target in an Ar/O2 working gas mixture, it is found that the formation of dielectric films is observed at the concentration of O2 higher than 50% and it is determined by the enthalpy of oxide formation from the source metal. The use of high-vacuum sputtering allows stabilizing the process without the use of feedback systems. It is shown that when depositing tantalum oxide films on a  200 mm rotating substrate, it is possible to obtain layers with a thickness non-uniformity of less than ±2.4%, a capacitance and dielectric loss tangent nonuniformity of less than ±18%.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42324
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Viliya_Formirovaniye.pdf1.14 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.