Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42922
Title: Способ формирования слоев кристаллического оксида цинка
Other Titles: Пат. 16930 Респ. Беларусь
Authors: Бондаренко, В. П.
Клышко, А. А.
Чубенко, Е. Б.
Keywords: патенты;электронная техника;оксидирование;полупроводниковые приборы
Issue Date: 2013
Publisher: Национальный центр интеллектуальной собственности
Citation: Способ формирования слоев кристаллического оксида цинка : пат. 16930 Респ. Беларусь : МПК (2006) C 23C 18/16, C 30B 29/16 / Бондаренко В. П., Клышко А. А., Чубенко Е. Б. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20101309 ; заявл. 30.04.2012 ; опубл. 30.04.2013. – 4 с. : ил.
Abstract: Способ формирования слоя кристаллического оксида цинка, включающий химическое формирование оксида цинка из водного раствора цинката натрия при комнатной температуре, отличающийся тем, что химическое формирование оксида цинка осуществляют за счет преобразования слоя алюминия на поверхности подложки при последовательной обработке в водном растворе цинката натрия, содержащем гидроксид натрия в количестве 50-140 г/л и оксид цинка в количестве 10-40 г/л, водном растворе азотной кислоты и повторной обработке в водном растворе цинката натрия и деионизованной воде.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42922
Appears in Collections:Изобретения

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
16930.pdf478.18 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.