Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42925
Title: Способ изготовления многоуровневой системы микроэлектронных межсоединений на основе алюминия и его анодных оксидов
Other Titles: Пат. 17099 Респ. Беларусь
Authors: Сокол, В. А.
Шиманович, Д. Л.
Ярошевич, И. В.
Сякерский, В. С.
Keywords: патенты;электронная техника;многоуровневые системы межсоединений;интегральные микросхемы
Issue Date: 2013
Publisher: Национальный центр интеллектуальной собственности
Citation: Способ изготовления многоуровневой системы микроэлектронных межсоединений на основе алюминия и его анодных оксидов : пат. 17099 Респ. Беларусь : МПК (2006) H 01L 49/02, H 01L 21/64, H 01L 21/84 / Сокол В. А., Шиманович Д. Л., Ярошевич И. В., Сякерский В. С. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20091705 ; заявл. 30.08.2011 ; опубл. 30.04.2013. – 7 с. : ил.
Abstract: Способ изготовления многоуровневой системы микроэлектронных межсоединений на основе алюминия и его анодных оксидов, заключающийся в том, что для формирования первого уровня системы межсоединений на поверхность диэлектрического основания или металлического основания с диэлектрическим слоем напыляют слой алюминия, осуществляют первую фотолитографию по рисунку будущих дорожек межсоединений уровня, выращивают методом анодирования на открытых участках плотный оксид алюминия, снимают фоторезист, осуществляют пористое анодирование в течение 30-50 с поверхности открытых участков алюминия при напряжении, составляющем 0,6-0,8 от напряжения последующего сквозного пористого анодирования, осуществляют вторую фотолитографию по рисунку контактных переходов в следующий уровень системы межсоединений или внешних контактных площадок, осуществляют сквозное пористое анодирование алюминия между дорожками системы межсоединений, снимают фоторезист, осуществляют ионное травление в вакуумной камере поверхности до удаления дополнительно сформированного окисла алюминия на контактных переходах в следующий уровень системы межсоединений или внешних контактных площадках, для формирования последующих уровней системы межсоединений на полученную структуру напыляют слой алюминия и повторяют указанную последовательность операций.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42925
Appears in Collections:Изобретения

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
17099.pdf822.59 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.