Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42950
Title: Способ изготовления конденсатора для интегральной микросхемы
Other Titles: Пат. 19536 Респ. Беларусь
Authors: Хмыль, А. А.
Емельянов, А. В.
Алиева, Н. В.
Емельянов, В. А.
Трусов, В. Л.
Шикуло, В. Е.
Сенько, С. Ф.
Keywords: патенты
интегральные микросхемы
конденсаторы
электронная техника
Issue Date: 2015
Publisher: Национальный центр интеллектуальной собственности, РБ
Citation: Способ изготовления конденсатора для интегральной микросхемы : пат. 19536 Респ. Беларусь : МПК (2006) H 01G 4/33 / Хмыль А. А., Емельянов А. В., Алиева Н. В., Емельянов В. А., Трусов В. Л., Шикуло В. Е., Сенько С. Ф. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20121544 ; заявл. 30.06.2014 ; опубл. 30.10.2015. – 7 с. : ил.
Abstract: Способ изготовления конденсатора для интегральной микросхемы, в котором на кремниевой подложке с активными областями формируют нижнюю обкладку конденсатора из моно- или поликристаллического кремния, окисляют ее поверхность до получения на ней слоя диоксида кремния заданной толщины, осаждают на него слой нитрида кремния заданной толщины, окисляют указанный осажденный слой в парах воды при температуре от 800 до 900 °С до формирования слоя оксинитрида кремния толщиной от 1 до 5 нм, а затем формируют на поверхности полученной слоистой структуры верхнюю обкладку конденсатора путем осаждения на нее слоя легированного поликристаллического кремния требуемой конфигурации, а также присоединяют к указанным обкладкам локальные электрические контакты.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42950
Appears in Collections:Изобретения

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
19536.pdf522.79 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.