https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42950| Title: | Способ изготовления конденсатора для интегральной микросхемы |
| Other Titles: | Пат. 19536 Респ. Беларусь |
| Authors: | Хмыль, А. А. Емельянов, А. В. Алиева, Н. В. Емельянов, В. А. Трусов, В. Л. Шикуло, В. Е. Сенько, С. Ф. |
| Keywords: | патенты;интегральные микросхемы;конденсаторы;электронная техника |
| Issue Date: | 2015 |
| Publisher: | Национальный центр интеллектуальной собственности |
| Citation: | Способ изготовления конденсатора для интегральной микросхемы : пат. 19536 Респ. Беларусь : МПК (2006) H 01G 4/33 / Хмыль А. А., Емельянов А. В., Алиева Н. В., Емельянов В. А., Трусов В. Л., Шикуло В. Е., Сенько С. Ф. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20121544 ; заявл. 30.06.2014 ; опубл. 30.10.2015. – 7 с. : ил. |
| Abstract: | Способ изготовления конденсатора для интегральной микросхемы, в котором на кремниевой подложке с активными областями формируют нижнюю обкладку конденсатора из моно- или поликристаллического кремния, окисляют ее поверхность до получения на ней слоя диоксида кремния заданной толщины, осаждают на него слой нитрида кремния заданной толщины, окисляют указанный осажденный слой в парах воды при температуре от 800 до 900 °С до формирования слоя оксинитрида кремния толщиной от 1 до 5 нм, а затем формируют на поверхности полученной слоистой структуры верхнюю обкладку конденсатора путем осаждения на нее слоя легированного поликристаллического кремния требуемой конфигурации, а также присоединяют к указанным обкладкам локальные электрические контакты. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42950 |
| Appears in Collections: | Изобретения |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.