https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42955| Title: | Способ профилирования пластины из монокристаллического кремния |
| Other Titles: | Пат. 19684 Респ. Беларусь |
| Authors: | Бондаренко, В. П. Клышко, А. А. Чубенко, Е. Б. |
| Keywords: | патенты;монокристаллические структуры;электронная техника;полупроводниковые приборы |
| Issue Date: | 2015 |
| Publisher: | Национальный центр интеллектуальной собственности |
| Citation: | Способ профилирования пластины из монокристаллического кремния : пат. 19684 Респ. Беларусь : МПК (2006) H 01L 21/00 / Бондаренко В. П., Клышко А. А., Чубенко Е. Б. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20121610 ; заявл. 30.06.2014 ; опубл. 30.12.2015. – 6 с. : ил. |
| Abstract: | Способ профилирования пластины из монокристаллического кремния, в котором на поверхности пластины формируют маску из нитрида кремния с подслоем оксида кремния, далее создают в указанной поверхности локальные области пористого кремния толщиной не менее 100 мкм путем ее анодной обработки в водном растворе электролита, содержащего изопропиловый спирт и 45%-ную фтористоводородную кислоту в количестве от 40 до 60 об. %, при плотности анодного тока от 35 до 120 мА/см 2 и температуре раствора от 1 до 5 °С, а затем создают углубления в поверхности пластины путем удаления из нее сформированных областей пористого кремния. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42955 |
| Appears in Collections: | Изобретения |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.