https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42962| Title: | Способ травления полупроводниковой кремниевой подложки |
| Other Titles: | Пат. 20182 Респ. Беларусь |
| Authors: | Баранов, И. Л. Табулина, Л. В. Русальская, Т. Г. |
| Keywords: | патенты;полупроводники;кремниевые подложки;травление кремния;микроэлектромеханические системы |
| Issue Date: | 2016 |
| Publisher: | Национальный центр интеллектуальной собственности |
| Citation: | Способ травления полупроводниковой кремниевой подложки : пат. 20182 Респ. Беларусь : МПК (2006) C 25F 3/12, H 01L 21/3063 / Баранов И. Л., Табулина Л. В., Русальская Т. Г. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20130017 ; заявл. 30.08.2014 ; опубл. 30.06.2016. – 7 с. |
| Abstract: | Способ травления полупроводниковой кремниевой подложки, включающий погружение кремниевой подложки в водный раствор, содержащий 1,0-1,75 % HF, 0,5-1,1 % NH 4 F и 0,07-0,14 % смачивающей добавки СВ-1017, и пропускание через нее анодного тока, отличающийся тем, что используют водный раствор, дополнительно содержащий 0,0025-0,01 % неионогенного гидрофильного высокомолекулярного поверхностно-активного вещества полиоксиэтилена, а через подложку пропускают анодный ток плотностью 100-120 мА/см 2. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42962 |
| Appears in Collections: | Изобретения |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.