Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42992
Title: Способ термического вакуумного получения тонкой пленки SNS
Other Titles: Пат. 22464 Респ. Беларусь
Authors: Цырельчук, И. Н.
Хорошко, В. В.
Башкиров, С. А.
Гременок, В. Ф.
Иванов, В. А.
Keywords: патенты
полупроводниковпя электроника
тонкие пленки
Issue Date: 2019
Publisher: Национальный центр интеллектуальной собственности, РБ
Citation: Способ термического вакуумного получения тонкой пленки SNS : пат. 22464 Респ. Беларусь : МПК (2006) H 01L 31/18 / Цырельчук И. Н., Хорошко В. В., Башкиров С. А., Гременок В. Ф., Иванов В. А. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20170076 ; заявл. 30.10.2018 ; опубл. 30.04.2019. – 3 с. : ил.
Abstract: Способ термического вакуумного получения тонкой пленки SnS, при котором осуществляют напыление испаряемого материала SnS на стеклянную подложку при температуре подложки 300 °С, давлении 10 -6 Торр, расстоянии между испаряемым материалом и подложкой 12 см и переносе паров испаряемого материала к подложке в кварцевой трубке с температурой от 590 до 610 °С в течение от 10 до 30 мин, отличающийся тем, что полученную пленку подвергают дополнительной температурной обработке в откачанной ампуле в вакууме при давлении 10 -6 Торр и температуре от 400 до 430 °С в течение 60 мин.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42992
Appears in Collections:Изобретения

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
22464.pdf100.23 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.