Формирование ALGaN/GaN гетероструктур для силовой и СВЧ электроники с помощью аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии

Abstract

В докладе представлены результаты в создании гетероструктур AlGaN/GaN молекулярно-пучковой эпитаксией для транзисторов с высокой подвижностью электронов на подложках сапфира и карбида кремния. Подвижность электронного газа полученных гетероструктур составила ~ 2000 см2/В.с при концентрации ~1.2-1.3.1013 см-2, а слоевое сопротивление – 230-270 Ом/кв, что позволило изготовить на них основе транзисторы с максимальной плотностью тока стока более 1 А/мм, максимальной крутизной около 160 мСм/мм, частотами Ft ~ 8,4 ГГц и Fmax ~ 15,8 ГГц. The report presents the results in the creation of AlGaN/GaN heterostructures by molecular beam epitaxy for high electron mobility transistors on sapphire and silicon carbide substrates. Electron gas mobility of the obtained heterostructures was ~ 2000 сm2/V.s at density of ~ 1.2 - 1.3.1013 сm-2, and the layer resistance was 230-270 Ohm/ sq, which made possible to fabricate transistors with maximum drain current density more than 1 A/mm, maximum slope about 160 mS / mm, frequencies Ft ~ 8.4 GHz and Fmax ~ 15.8 GHz.