Анализ микроэлектронных структур с высоким пространственным разрешением

Abstract

В данной работе для подготовки вертикальных сечений использовались различные механические обработки и финишное утонение ионным пучком. Использование такой комбинации методов является наиболее универсальным, так как способствует минимизации эффектов, связанных с различными свойствами материалов, входящих в многослойные системы, какими являются микросхемы. Изучены и установлены оптимальные условия проведения каждой операции, подробное описание последовательности действий при их выполнении отражены в соответствующих методиках.