Please use this identifier to cite or link to this item:
https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45296
| Title: | Модель МДП-транзистора с субмикронными размерами |
| Authors: | Галузо, В. Е. |
| Keywords: | доклады БГУИР;вольт-амперные характеристики;МДП-транзисторы;схемотехника |
| Issue Date: | 2005 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Галузо, В. Е. Модель МДП-транзистора с субмикронными размерами / Галузо В. Е. // Доклады БГУИР. – 2005. – № 5. – С. 88. |
| Abstract: | Предлагается простая аналитическая квазидвумерная физикотопологическая модель передаточной и выходной вольт-амперных характеристик (ВАХ) в режиме сильной инверсии МДП-транзистора с субмикронными размерами длины канала, а точнее, с расстоянием между стоком и истоком меньше суммарной толщины обедненных областей их p-n переходов. В модели учитывается уменьшение подвижности и насыщение скорости носителей заряда в сильных продольных и поперечных электрических полях. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45296 |
| Appears in Collections: | №5
|
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
