Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45311
Title: Схемотехнические решения импульсной защиты на МОП-транзисторах
Authors: Образцов, Н. С.
Макаревич, С. Ю.
Пинаев, А. И.
Keywords: доклады БГУИР;защита информации;информационная безопасность;МОП-транзисторы;схемотехника;дискретные полевые транзисторы
Issue Date: 2005
Publisher: БГУИР
Citation: Образцов, Н. С. Схемотехнические решения импульсной защиты на МОП-транзисторах / Образцов Н. С., Макаревич С. Ю., Пинаев А. И. // Доклады БГУИР. – 2005. – № 5. – С. 81.
Abstract: Типовая двухступенчатая схема защиты выводов ИС состоит из полевого транзистора с заземленным каналом, который используется как вторичный защитный элемент для ограничения импульса наводок.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45311
Appears in Collections:№5

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Obraztsov_Skhemotekhnicheskiye.pdf166.01 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.