https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45311| Title: | Схемотехнические решения импульсной защиты на МОП-транзисторах |
| Authors: | Образцов, Н. С. Макаревич, С. Ю. Пинаев, А. И. |
| Keywords: | доклады БГУИР;защита информации;информационная безопасность;МОП-транзисторы;схемотехника;дискретные полевые транзисторы |
| Issue Date: | 2005 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Образцов, Н. С. Схемотехнические решения импульсной защиты на МОП-транзисторах / Образцов Н. С., Макаревич С. Ю., Пинаев А. И. // Доклады БГУИР. – 2005. – № 5. – С. 81. |
| Abstract: | Типовая двухступенчатая схема защиты выводов ИС состоит из полевого транзистора с заземленным каналом, который используется как вторичный защитный элемент для ограничения импульса наводок. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45311 |
| Appears in Collections: | №5 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Obraztsov_Skhemotekhnicheskiye.pdf | 166.01 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.