Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45613
Title: Разработка схемотехнической модели воздействия разряда статического электричества по модели CDM на полевой транзистор с изолированным затвором
Authors: Пискун, Г. А.
Алексеев, В. Ф.
Keywords: публикации ученых
схемотехнические модели
разряд статического электричества
моделирование импульсов
модели заряженного устройства
программная среда Qucs
Issue Date: 2020
Publisher: Белорусская государственная академия связи, РБ
Citation: Пискун, Г. А. Разработка схемотехнической модели воздействия разряда статического электричества по модели CDM на полевой транзистор с изолированным затвором / Г. А. Пискун, В. Ф. Алексеев // Современные средства связи : материалы XХV Международной научно-технической конференции, Минск, 22-23 октября 2020 г. / Белорусская государственная академия связи ; редкол.: А. О. Зеневич [и др.]. – Минск, 2020. – С. 149‒151.
Abstract: В ходе технологического процесса электронные компоненты испытывают контакт и разделение с разнородными материалами. В результате контактирования и разделения в электронных компонентах могут образовываться и накапливаться электростатические заряды. В работе рассматривается пример построения схемы модели воздействия CDM ЭСР на транзистор IRF730 и получения последующих осциллограмм в программной среде Qucs.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45613
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Piskun_Razrabotka1.pdf213,23 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.