https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45613| Title: | Разработка схемотехнической модели воздействия разряда статического электричества по модели CDM на полевой транзистор с изолированным затвором |
| Authors: | Пискун, Г. А. Алексеев, В. Ф. |
| Keywords: | публикации ученых;схемотехнические модели;разряд статического электричества;моделирование импульсов;модели заряженного устройства;программная среда Qucs |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Белорусская государственная академия связи |
| Citation: | Пискун, Г. А. Разработка схемотехнической модели воздействия разряда статического электричества по модели CDM на полевой транзистор с изолированным затвором / Г. А. Пискун, В. Ф. Алексеев // Современные средства связи : материалы XХV Международной научно-технической конференции, Минск, 22-23 октября 2020 г. / Белорусская государственная академия связи ; редкол.: А. О. Зеневич [и др.]. – Минск, 2020. – С. 149‒151. |
| Abstract: | В ходе технологического процесса электронные компоненты испытывают контакт и разделение с разнородными материалами. В результате контактирования и разделения в электронных компонентах могут образовываться и накапливаться электростатические заряды. В работе рассматривается пример построения схемы модели воздействия CDM ЭСР на транзистор IRF730 и получения последующих осциллограмм в программной среде Qucs. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45613 |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Piskun_Razrabotka1.pdf | 213.23 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.