Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45619
Title: Особенности микроструктуры и электрические характеристики тонких пленок серебра с вольфрамом, полученных химическим осаждением
Authors: Богуш, В. А.
Keywords: публикации ученых;микроэлектроника;химическое осаждение;пленки серебра
Issue Date: 2004
Publisher: БГУИР
Citation: Богуш, В. А. Особенности микроструктуры и электрические характеристики тонких пленок серебра с вольфрамом, полученных химическим осаждением / Богуш В. А. // Новые технологии изготовления многокристальных модулей: материалы докладов Международной научно-технической конференции, 27 сентября – 1 октября 2004 г., Минск. – Минск, 2004. – С. 85–88.
Abstract: Современный уровень развития электроники, компьютерной техники и, особенно, микроэлектроники характеризуется высоким уровнем технологии, расширением элементной базы и функциональности изделий, использованием большого числа различных материалов.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45619
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Bogush_Osobennosti.pdf208.69 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.