Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/4570
Title: Влияние морфологии на электронные свойства <111>-ориентированных GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP и InSb наношнуров
Other Titles: Effect of morphology on electronic properties of the <111> -oriented GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP and InSb nanowires
Authors: Яцыно, Д. А.
Мигас, Д. Б.
Арситов, Я. С.
Филонов, А. Б.
Колосницын, Б. С.
Keywords: доклады БГУИР;АIII-BV наношнуры;морфология и зонная структура наношнуров
Issue Date: 2015
Publisher: БГУИР
Citation: Влияние морфологии на электронные свойства <111>-ориентированных GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP и InSb наношнуров / Д. А. Яцыно [ и др.] // Доклады БГУИР. - 2015. - № 3 (89). - С. 77 - 82.
Abstract: Приведены результаты расчетов методами из первых принципов <111>-ориентированных GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs и InSb наношнуров со структурой цинковой обманки, которые показывают, что морфология таких наношнуров кардинально влияет на их электронные свойства. Установлено, что для наношнуров с {011} гранями на поверхности формирование небольших по размеру {112} кромок между соседними {011} гранями приводит к более стабильной структуре и удаляет поверхностные состояния в районе запрещенной зоны без пассивации водородом.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/4570
Appears in Collections:№3 (89)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Yatsyno_Vliyaniye.PDF904.55 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.