Влияние морфологии на электронные свойства <111>-ориентированных GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP и InSb наношнуров

Abstract

Приведены результаты расчетов методами из первых принципов <111>-ориентированных GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs и InSb наношнуров со структурой цинковой обманки, которые показывают, что морфология таких наношнуров кардинально влияет на их электронные свойства. Установлено, что для наношнуров с {011} гранями на поверхности формирование небольших по размеру {112} кромок между соседними {011} гранями приводит к более стабильной структуре и удаляет поверхностные состояния в районе запрещенной зоны без пассивации водородом.