Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46000
Title: Структурно-фазовые характеристики пленок оксида ванадия
Other Titles: Structural and phase characteristics of vanadium oxide films
Authors: Нгуен, Т. Д.
Занько, А. И.
Голосов, Д. А.
Завадский, С. М.
Мельников, С. Н.
Колос, В. В.
То, Т. К.
Nguen, T. D.
Zanko, A. I.
Golosov, D. A.
Zavadskiy, S. M.
Melnikov, S. N.
Kolos, V. V.
To, T. K.
Keywords: публикации ученых
оксид ванадия
тонкие пленки
реактивное магнетронное распыление
кристаллизационный отжиг
vanadium oxide
thin films
reactive magnetron sputtering
crystallization annealing
Issue Date: 2021
Publisher: Гомельский государственный технический университет имени П. О. Сухого, РБ
Citation: Нгуен, Т. Д. Структурно-фазовые характеристики пленок оксида ванадия / Т. Д. Нгуен [и др.] // Вестник ГГТУ им. П. О. Сухого. – 2021. – № 1. – С. 33–41.
Abstract: Проведены исследования влияния параметров процесса нанесения и последующего отжига на структуру и фазовый состав пленок оксида ванадия (VOx ). Пленки VOx наносились методом импульсного реактивного магнетронного распыления V мишени в Ar/O2 смеси газов и подвергались отжигу в атмосфере O2 при давлении 10 5 Па. Температура отжига изменялась от 100 до 450 °С. Время отжига варьировалось от 10 до 120 мин. Установлено, что при отжиге начальные процессы кристаллизации наблюдаются при температурах 250–275 °С. При этом, в зависимости от концентрации кислорода в процессе распыления, формируются поликристаллические пленки кубической или смешанной моноклинной/кубической кристаллической решеткой. При увеличении температуры отжига происходит переход от промежуточного оксида V 4 O 9 к смешанной фазе VO 2 /VO x /V 2 O 5 и далее к высшему оксиду V 2 O 5 . При увеличении времени отжига формирование высшего оксида V 2 O 5 наблюдается при более низких температурах и его концентрация увеличивается. The article The influence of the parameters of the deposition and subsequent annealing on the structure and phase composition of vanadium oxide (VO x ) films has been studied. VO x films were deposited by pulsed reactive magnetron sputtering of a V target in an Ar/O 2 gas mixture and annealed in an O 2 atmosphere at a pressure of 105 Pa. The temperature of the annealing varied from 100 to 450 °C. The time of the annealing varied from 10 to 120 min. It was found that during annealing, the initial crystallization processes are observed at temperatures of 250–275 °C. In this case, depending on the oxygen concentration during sputtering, polycrystalline films of a cubic or mixed monoclinic (cubic) crystal lattice are formed. As the temperature of the annealing rises, a transition occurs from the intermediate oxide V 4 O 9 to the mixed phase VO 2 /VO x /V 2 O 5 and then to the higher oxide V 2 O 5. With an increase in the annealing time, the formation of the higher oxide V 2 O 5 is observed at lower temperatures and its concentration increases.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46000
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Nguyen_Strukturno_Fazovyye.pdf1,2 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.