| Title: | Конструктивно-технологические особенности мощных транзисторов и их электротепловая модель |
| Other Titles: | Structural and technological features of powerful transistors and their electric thermal model |
| Authors: | Сыс, А. Д. |
| Keywords: | материалы конференций;мощные транзисторы;МОП-структуры;электротепловые модели;power transistor;MOS;VMOS;MOSFET;electrothermal model |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Сыс, А. Д. Конструктивно-технологические особенности мощных транзисторов и их электротепловая модель / А. Д. Сыс // Электронные системы и технологии [Электронный ресурс] : сборник материалов 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 18-22 апреля 2022 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2022. – С. 337–339. – Режим доступа : https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46926. |
| Abstract: | Рассмотрены структуры и конструктивно-технологические особенности полупроводниковых полевых транзисторов MOSFET и их электротепловая модель. Предложены оптимальные варианты конструктивно технологического исполнения MOSFET и способы монтажа кристаллов в корпус, обеспечивающие стабильность и воспроизводимость параметров изделий. The structures and design and technological features of MOSFET semiconductor field-effect transistors and their electrothermal model are considered. Optimal options for the structural and technological design of MOSFETs and methods for mounting crystals in a package are proposed, which ensure the stability and reproducibility of product parameters. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47187 |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 58-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2022)
|
