Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/48206
Title: Фононная теплопроводность нанопроволок Si/Ge
Authors: Холяво, И. И.
Хомец, А. Л.
Keywords: материалы конференций;нанопроволока;теплопроводность;фононы
Issue Date: 2022
Publisher: БГУИР
Citation: Холяво, И. И. Фононная теплопроводность нанопроволок Si/Ge / Холяво И. И., Хомец А. Л. // Радиотехника и электроника : сборник тезисов докладов 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, апрель 2022 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2022. – С. 42–44.
Abstract: В работе проведено исследование влияния морфологии теплопроводность нанопроволок Si/Ge типа ядро/оболочка с <100>, <110>, <112> и <111> кристаллографическими ориентациями и диаметром около 5 нм. Обнаружено, что для <112>- ориентированных нанопроволок Si-ядро/Ge-оболочка при объемной доле ядра ~24 % теплопроводность является наименьшей (5,4 Вт/(м∙К)), в то время как значения теплопроводности для нанопроволок из чистого Si и Ge составляют 13,5 и 7,4 Вт/(м∙К), соответственно.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/48206
Appears in Collections:Радиотехника и электроника : материалы 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2022)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Kholyavo_Fononnaya.pdf879.6 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.