Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/48429
Title: Эффекты слабой локализации в топологических изоляторах
Authors: Зайцев, В. А.
Keywords: материалы конференций;топологические изоляторы;спин-орбитальное взаимодействие
Issue Date: 2022
Publisher: БГУИР
Citation: Зайцев, В. А. Эффекты слабой локализации в топологических изоляторах / Зайцев В. А. // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХX Белорусско-российской научно-технической конференции, Минск, 7 июня 2022 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2022. – С. 44 – 45.
Abstract: Необычные свойства поверхностных электронов топологических изоляторов делают их чрезвычайно перспективными для создания устройств по спиновому транспорту, например, по инжекции и детектированию спин-поляризованных электронов.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/48429
Appears in Collections:ТСЗИ 2022

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Zaytsev_Effekty.pdf288.45 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.