| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Бондарев, А. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2022-11-16T11:42:01Z | - |
| dc.date.available | 2022-11-16T11:42:01Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Бондарев А. А. Структура GaN-транзисторов / Бондарев А. А. // Научная конференция учащихся колледжа : материалы 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 18–22 апреля 2022 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минский радиотехнический колледж ; редкол.: В. В. Шаталова [и др.]. – Минск : БГУИР, 2022. – С. 210–212. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49005 | - |
| dc.description.abstract | Предоставленные материалы направлены на изучение структуры современного решения высокоэффективных транзисторов GaN структуры и его сравнение с технологией MOSFET. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | GaN | ru_RU |
| dc.subject | MOSFET | ru_RU |
| dc.title | Структура GaN-транзисторов | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Научная конференция учащихся колледжа : материалы 58-й научной конференции (2022)
|
