https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49005| Title: | Структура GaN-транзисторов |
| Authors: | Бондарев, А. А. |
| Keywords: | материалы конференций;транзисторы;GaN;MOSFET |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Бондарев А. А. Структура GaN-транзисторов / Бондарев А. А. // Научная конференция учащихся колледжа : материалы 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 18–22 апреля 2022 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минский радиотехнический колледж ; редкол.: В. В. Шаталова [и др.]. – Минск : БГУИР, 2022. – С. 210–212. |
| Abstract: | Предоставленные материалы направлены на изучение структуры современного решения высокоэффективных транзисторов GaN структуры и его сравнение с технологией MOSFET. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49005 |
| Appears in Collections: | Научная конференция учащихся колледжа : материалы 58-й научной конференции (2022) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Bondarev_Struktura gan_tranzistorov.pdf | 435.65 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.