https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49604| Title: | Влияние электрического поля на скорость удаления носителей заряда в кремний-германиевых сплавах р-типа при облучении альфа-частицами |
| Other Titles: | Influence of the electric field on the rate of removal of charge carriers in silicon-germanium alloys p-type under irradiation with alpha particles |
| Authors: | Жданович, Д. Н. Огородников, Д. А. Медведева, И. Ф. Фадеева, Е. А. Толкачева, Е. А. |
| Keywords: | материалы конференций;кремний-германиевый сплав;DLTS-спектроскопия;альфа-частица |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Влияние электрического поля на скорость удаления носителей заряда в кремний-германиевых сплавах р-типа при облучении альфа-частицами = Influence of the electric field on the rate of removal of charge carriers in silicon-germanium alloys p-type under irradiation with alpha particles / Д. Н. Жданович // Медэлектроника–2022. Средства медицинской электроники и новые медицинские технологии : сборник научных статей XIII Международной научно-технической конференции, Минск, 8-9 декабря 2022 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; отв. за вып.: М. В. Давыдов. – Минск : БГУИР, 2022. – С. 194–198. |
| Abstract: | Показано, что при облучении альфа частицами обратно-смещенных диодных структур на основе кристаллов р-SiGe скорость удаления основных носителей заряда значительно снижена в области пространственного заряда (ОПЗ) диодов по сравнению с квазинейтральной областью. Наблюдаемый эффект связан с инжекционно-ускоренной миграцией собственных межузельных атомов кремния и их взаимодействием с другими дефектами решетки в ОПЗ диодов во время облучения. |
| Alternative abstract: | It is found that the removal rate of majority charge carriers is significantly reduced in depleted regions of reverse-biased SiGe-based n+-p diodes compared to that in the neutral regions upon irradiation with alfa particles. The observed effect is related to injection-enhanced mobility of Si self-interstitial atoms and their interactions with other lattice defects in the depleted regions of the diodes during irradiation. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49604 |
| Appears in Collections: | Медэлектроника - 2022 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Jdanovich_Vliyanie.pdf | 592.38 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.