Способ формирования диэлектрических пленок

Abstract

Настоящее изобретение относится к области электронной технологии, в частности к процессу изготовления диэлектрических анодных оксидных пленок (АОП), содержащих редкоземельные металлы (РЗМ), и может быть использовано для изготовления всех видов изделий микроэлектроники, основанных на применении, в частности, в гибридных и полупроводниковых схемах, МДМ-структурах, активных, линейных и нелинейных элементах, СВЧ-устройствах и датчиках излучения в широком диапазоне длин волн.