| Title: | Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния |
| Other Titles: | Low magnetic fields influence on the properties of silicon silicone-oxide interface |
| Authors: | Нарейко, А. И. |
| Keywords: | interface;silicon oxide;low magnetic field;charge transport;magnetic isotope;spin;nuclear polarization and relaxation;aftereffect |
| Issue Date: | 2000 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Нарейко, А. И. Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния : автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / А. И. Нарейко; науч. рук. В. Е. Борисенко. - Мн.: БГУИР, 2000. - 16 с. |
| Abstract: | Целью настоящей диссертационной работы явилось установление закономерностей воздействия слабого постоянного и переменного магнитного поля на электрофизические параметры оксида кремния и границы кремний - оксид, выявление механизма последействия этого поля, разработка рекомендаций по обеспечению долглвременной стабильности МДП-структур в условиях воздействия СМП. |
| Alternative abstract: | Proposed is a principle and system of automated control of parameters of metal- insulator- semiconductor (MIS) structures exposed to low magnetic fields (LMF) which causes long-term variation of their parameters; the algorithm of the consistent sampling analysis is proposed. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5041 |
| Appears in Collections: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|
