Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5106
Title: Конструктивно-технологические методы формирования тонкопленочных элементов кремниевых диодов шоттки с повышенной воспроизводимостью свойств в серийном производстве
Other Titles: Thin film elemets design and formation methods for silicon schottky diodes with improved reproducibility of properties in a batch production
Authors: Соловьев, Я. А.
Keywords: диод Шоттки;вольтамперная характеристика;высота барьера;тонкие пленки;магнетронное распыление;молибден;механические напряжения;силициды;Schottky diode;voltage-current characteristic;barrier height;thin films;magnetron sputtering;molybdenum;mechanical stress;silicides
Issue Date: 2005
Publisher: БГУИР
Citation: Соловьев, Я. А. Конструктивно-технологические методы формирования тонкопленочных элементов кремниевых диодов шоттки с повышенной воспроизводимостью свойств в серийном производстве : автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Я. А. Соловьев; науч. рук. В. В. Баранов. - Мн.: БГУИР, 2005. - 22 с.
Abstract: Экспериментально установлены зависимости кристаллической структуры, механических и электрофизических свойств тонких пленок молибдена и его сплавов, нанесенных магнетронным распылением, от параметров технологического процесса Определены интервалы оптимальных значений давления аргона, температуры подложки, и скорости нанесения, при которых достигается наилучшее сочетание структурных, механических и электрофизических свойств. Разработана конструкция кремниевого диода Шоттки, с двухслойным пассивирующим покрытием Si02/Ta205 с толщиной слоя пентаоксида тантала 0,07 - 0,4 мкм, обеспечивающим наилучшую защиту твердотельной структуры диода Шоттки от деградации электрических параметров после высокотемпературного микромонтажа.
Alternative abstract: The design of silicon Schottky diode, with two-layer passivation coverage Si02/Ta205 with thickness of a layer tantalum pentaoxide 0,07 - 0,4 microns, providing the best protection of solid-state structure of Schottky diode against electric parameters degradation after high-temperature microinstallation is developed.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5106
Appears in Collections:05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Соловьев Я. А. .pdf1.29 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.