| Title: | МОП - конденсаторы интегральных схем на основе пентаоксида тантала |
| Other Titles: | MOS - capacitors of integrated circuit on base of tantalum pentaoxide |
| Authors: | Петлицкая, Т. В. |
| Keywords: | авторефераты диссертаций;канденсаторный диэлектрик;диэлектрическая проницаемость;интегральный конденсатор;capacitor dielectrics;dielectrics permeability;integrated capaci¬tor |
| Issue Date: | 2003 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Петлицкая, Т. В. МОП - конденсаторы интегральных схем на основе пентаоксида тантала: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Т. В. Петлицкая; науч. рук. В. В. Баранов. - Мн.: БГУИР, 2003. - 15 с. |
| Abstract: | целью работы является установление закономерностей изменения электрофизических параметров и упруго-механических свойств комбинированного диэлектрика на основе системы Ta205 / Si02 и создание с его использованием конденсаторов для интегральных схем памяти. The principal goal: determination of behavior of electro-physical and elastic mechanical properties of combination dielectric on base of system of Ta205 / Si02 and formation of capacitors for memory IC |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5408 |
| Appears in Collections: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|
