Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5408
Title: МОП - конденсаторы интегральных схем на основе пентаоксида тантала
Other Titles: MOS - capacitors of integrated circuit on base of tantalum pentaoxide
Authors: Петлицкая, Т. В.
Keywords: авторефераты диссертаций;канденсаторный диэлектрик;диэлектрическая проницаемость;интегральный конденсатор;capacitor dielectrics;dielectrics permeability;integrated capaci¬tor
Issue Date: 2003
Publisher: БГУИР
Citation: Петлицкая, Т. В. МОП - конденсаторы интегральных схем на основе пентаоксида тантала: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Т. В. Петлицкая; науч. рук. В. В. Баранов. - Мн.: БГУИР, 2003. - 15 с.
Abstract: целью работы является установление закономерностей изменения электрофизических параметров и упруго-механических свойств комбинированного диэлектрика на основе системы Ta205 / Si02 и создание с его использованием конденсаторов для интегральных схем памяти. The principal goal: determination of behavior of electro-physical and elastic mechanical properties of combination dielectric on base of system of Ta205 / Si02 and formation of capacitors for memory IC
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5408
Appears in Collections:05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Петлицкая Т. В. .pdf984.94 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.