https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54105| Title: | Модель взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом для систем автоматизированного проектирования |
| Other Titles: | Electrophysical parameters interrelation model for cad systems |
| Authors: | Зайцев, В. А. Подрябинкин, Д. А. Мельникова, В. В. Данилюк, А. Л. |
| Keywords: | публикации ученых;транзисторные структуры;двумерные полупроводники;электрохимический потенциал |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | Полоцкий государственный университет |
| Citation: | Модель взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом для систем автоматизированного проектирования = Electrophysical parameters interrelation model for cad systems / В. А. Зайцев [и др.] // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С, Фундаментальные науки. – 2023. – № 2 (41). – С. 63–68. |
| Abstract: | Представлена модель и установлены закономерности взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом, основанные на самосогласовании электрохимического потенциала и концентрации носителей заряда двумерного канала в полевой транзисторной структуре. Такое самосогласование обеспечивается совмещением статистики Ферми – Дирака с условием электронейтральности транзисторной структуры. Рассмотрено влияние на электрофизические параметры транзисторной структуры с двумерным полупроводниковым каналом ширины запрещенной зоны мате- риала канала, емкости подзатворного диэлектрика, емкости интерфейсных состояний. Разработанная модель взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом может использоваться в системах автоматизированного проектирования элементной базы микро- и наноэлектроники. |
| Alternative abstract: | A model is presented and regularities are established for the relationship between the electrophysical parameters of a transistor structure and a two-dimensional channel, based on the self-consistency of the electrochemical potential and the concentration of charge carriers of a two-dimensional channel in a field-effect transistor structure. Such self-consistency is ensured by combining the Fermi – Dirac statistics with the condition of electrical neutrality of the transistor structure. The effect on the electrophysical parameters of a transistor structure with a two-dimensional semiconductor channel is considered for the band gap of the channel material, the capac- itance of the gate dielectric, and the capacitance of interface states. The developed model of the relationship between the electrophysical parameters of a transistor structure with a two-dimensional channel can be used in computeraided design systems for the element base of micro- and nanoelectronics. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54105 |
| DOI: | DOI 10.52928/2070-1624-2023-41-2-63-68 |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Zajcev_Model'.pdf | 350.66 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.