| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Плебанович, В. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-01-06T08:46:43Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-20T08:44:26Z | - |
| dc.date.available | 2016-01-06T08:46:43Z | |
| dc.date.available | 2017-07-20T08:44:26Z | - |
| dc.date.issued | 2009 | - |
| dc.identifier.citation | Плебанович, В. И. Формирование функциональных слоев пошаговым и двойным легированием для интегральных микросхем с элементами субмикронных размеров: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / В. И. Плебанович; науч. рук. В. А. Емельянов. - Мн.: БГУИР, 2009. - 22 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5413 | - |
| dc.description.abstract | Целью работы является разработка методов создания бездислокационных ионно-легированных структур в кристаллах кремния, подавления неравновесной ускоренной диффузии легирующей примеси при термообработках, адаптированных к условиям серийного производства субмикронных интегральных микросхем и обеспечивающих увеличение выхода годных изделий и требуемых эксплуатационные характеристики. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | авторефераты диссертаций | ru_RU |
| dc.subject | дефекты структуры | ru_RU |
| dc.subject | ионная имплантация | ru_RU |
| dc.subject | диффузия | ru_RU |
| dc.subject | structure defects | ru_RU |
| dc.subject | ion implantation | ru_RU |
| dc.subject | diffusion | ru_RU |
| dc.title | Формирование функциональных слоев пошаговым и двойным легированием для интегральных микросхем с элементами субмикронных размеров | ru_RU |
| dc.title.alternative | Formation of functional layers by single-step and double implantation for integrated circuits with the elements of submicron dimensions | ru_RU |
| dc.type | Abstract of the thesis | ru_RU |
| local.description.annotation | The aim of the dissertation work is development of the methods of creation of dislocation-free ion-doped structures in silicon crystals, elimination of transient en-hanced diffusion of doped impurities at thermal annealing, adapted to the conditions of mass production of submicron integrated circuit and guaranteeing increasing the product yield with the required performance parameters | - |
| Appears in Collections: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|
