| Title: | Формирование функциональных слоев пошаговым и двойным легированием для интегральных микросхем с элементами субмикронных размеров |
| Other Titles: | Formation of functional layers by single-step and double implantation for integrated circuits with the elements of submicron dimensions |
| Authors: | Плебанович, В. И. |
| Keywords: | авторефераты диссертаций;дефекты структуры;ионная имплантация;диффузия;structure defects;ion implantation;diffusion |
| Issue Date: | 2009 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Плебанович, В. И. Формирование функциональных слоев пошаговым и двойным легированием для интегральных микросхем с элементами субмикронных размеров: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / В. И. Плебанович; науч. рук. В. А. Емельянов. - Мн.: БГУИР, 2009. - 22 с. |
| Abstract: | Целью работы является разработка методов создания бездислокационных ионно-легированных структур в кристаллах кремния, подавления неравновесной ускоренной диффузии легирующей примеси при термообработках, адаптированных к условиям серийного производства субмикронных интегральных микросхем и обеспечивающих увеличение выхода годных изделий и требуемых эксплуатационные характеристики. |
| Alternative abstract: | The aim of the dissertation work is development of the methods of creation of dislocation-free ion-doped structures in silicon crystals, elimination of transient en-hanced diffusion of doped impurities at thermal annealing, adapted to the conditions of mass production of submicron integrated circuit and guaranteeing increasing the product yield with the required performance parameters |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5413 |
| Appears in Collections: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|
