Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5413
Title: Формирование функциональных слоев пошаговым и двойным легированием для интегральных микросхем с элементами субмикронных размеров
Other Titles: Formation of functional layers by single-step and double implantation for integrated circuits with the elements of submicron dimensions
Authors: Плебанович, В. И.
Keywords: авторефераты диссертаций;дефекты структуры;ионная имплантация;диффузия;structure defects;ion implantation;diffusion
Issue Date: 2009
Publisher: БГУИР
Citation: Плебанович, В. И. Формирование функциональных слоев пошаговым и двойным легированием для интегральных микросхем с элементами субмикронных размеров: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / В. И. Плебанович; науч. рук. В. А. Емельянов. - Мн.: БГУИР, 2009. - 22 с.
Abstract: Целью работы является разработка методов создания бездислокационных ионно-легированных структур в кристаллах кремния, подавления неравновесной ускоренной диффузии легирующей примеси при термообработках, адаптированных к условиям серийного производства субмикронных интегральных микросхем и обеспечивающих увеличение выхода годных изделий и требуемых эксплуатационные характеристики.
Alternative abstract: The aim of the dissertation work is development of the methods of creation of dislocation-free ion-doped structures in silicon crystals, elimination of transient en-hanced diffusion of doped impurities at thermal annealing, adapted to the conditions of mass production of submicron integrated circuit and guaranteeing increasing the product yield with the required performance parameters
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5413
Appears in Collections:05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Плебанович В. И. .pdf1.28 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.