Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Формирование монокристаллов In2S3, тонких пленок и поверхностно-барьерных структур на их основе
Other Titles: Formation of the single cry stals of In2S3, thin films and surface-barrier structures based on them
Authors: Полубок, В. А.
Polubok, U. А.
Keywords: авторефераты диссертаций
тепловое расширение
температура Дебая
single crystals
thermal expansion
the characteristic Debye temperature
Issue Date: 2008
Publisher: БГУИР
Citation: Полубок, В. А. Формирование монокристаллов In2S3, тонких пленок и поверхностно-барьерных структур на их основе: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / В. А. Полубок; науч. рук. И. В. Боднарь. - Минск : БГУИР, 2008. - 20 с.
Abstract: Цель работы заключается в выращивании оптически однородных монокристаллов ln2S3, двух структурных модификаций и получении на их основе пленок: установлении закономерностей изменения физико-химических, оптических, электрических и теплофизических свойств монокристаллов и пленок указанного соединения; создании поверхностно-барьерных структур и исследовании их фотоэлектрических свойств. The aims of the work are: synthesis and growth of qualitative and optically ho-mogeneous ln2S3 single crystals of two structural modifications; obtaining of thin films based on grown crystals; analysis of their optical, electric, thermal properties; creation of the surface-barrier structures based on the single crystals and thin films of ln2S3 and study of their photovoltaic properties
Appears in Collections:05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
k_avt_P.pdf1,24 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.