| Название: | Формирование монокристаллов In2S3, тонких пленок и поверхностно-барьерных структур на их основе |
| Другие названия: | Formation of the single cry stals of In2S3, thin films and surface-barrier structures based on them |
| Авторы: | Полубок, В. А. |
| Ключевые слова: | авторефераты диссертаций;монокристаллы;тепловое расширение;температура Дебая;single crystals;thermal expansion;the characteristic Debye temperature |
| Дата публикации: | 2008 |
| Издательство: | БГУИР |
| Описание: | Полубок, В. А. Формирование монокристаллов In2S3, тонких пленок и поверхностно-барьерных структур на их основе: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / В. А. Полубок; науч. рук. И. В. Боднарь. - Минск : БГУИР, 2008. - 20 с. |
| Аннотация: | Цель работы заключается в выращивании оптически однородных монокристаллов ln2S3, двух структурных модификаций и получении на их основе пленок: установлении закономерностей изменения физико-химических, оптических, электрических и теплофизических свойств монокристаллов и пленок указанного соединения; создании поверхностно-барьерных структур и исследовании их фотоэлектрических свойств. |
| Аннотация на другом языке: | The aims of the work are: synthesis and growth of qualitative and optically ho-mogeneous ln2S3 single crystals of two structural modifications; obtaining of thin films based on grown crystals; analysis of their optical, electric, thermal properties; creation of the surface-barrier structures based on the single crystals and thin films of ln2S3 and study of their photovoltaic properties |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5421 |
| Располагается в коллекциях: | 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
|
