https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54442| Title: | Прецизионный преобразователь переменного напряжения в постоянное по уровню среднеквадратического значения |
| Other Titles: | Precision RMS-to-DC Converter |
| Authors: | Галкин, Я. Д. Дворников, О. В. Чеховский, В. А. |
| Keywords: | доклады БГУИР;термоэлектрические преобразователи;операционные усилители;схемотехника |
| Issue Date: | 2024 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Галкин, Я. Д. Прецизионный преобразователь переменного напряжения в постоянное по уровню среднеквадратического значения = Precision RMS-to-DC Converter / Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский // Доклады БГУИР. – 2024. – Т. 22, № 1. – С. 30–38. |
| Abstract: | Рассмотрены разработанная модель резистивно-транзисторного термоэлектрического преобразователя, методика идентификации ее параметров и результаты схемотехнического моделирования с применением предложенной модели преобразователя переменного напряжения в постоянное по уровню среднеквадратического значения. Приведена электрическая схема преобразователя переменного напряжения в постоянное, полученная при схемотехническом моделировании зависимости погрешности преобразования от уровня входного напряжения, на основании которой сформулированы основные требования для уменьшения погрешности. Применение ранее разработанных на базовом матричном кристалле МН2ХА031 операционных усилителей типа OAmp11.2 с входными полевыми транзисторами, управляемыми p–n-переходом, позволяет реализовать прецизионный преобразователь переменного напряжения в постоянное по уровню среднеквадратического значения в виде микросборки, содержащей два кристалла термоэлектрического преобразователя ПН001, один кристалл МН2ХА031 со схемой обработки сигналов и внешние фильтрующие конденсаторы. Схемотехническое моделирование показало, что такой преобразователь сохраняет работоспособность при поглощенной дозе гамма-излучения, равной 1 Мрад, и воздействии флюенса нейтронов 1 1013 н/см2. |
| Alternative abstract: | The developed model of a resistive-transistor thermoelectric converter, the technique for identifying its parameters and the results of circuit simulation using the proposed model of an RMS-DC converter are considered. The electrical circuit of the RMS-DC converter is given, the dependences of the conversion error on the input voltage level obtained by circuit modeling, on the basis of which the main requirements for reducing the error are formulated. The application of operational amplifiers of the OAmp11.2 type with input junction field-effect transistors, previously developed on the master slice array МН2ХА031, makes it possible to implement a precision RMS-DC converter in the form of a microassembly containing two crystals of the ПН001 thermoelectric converter, one МН2ХА031 crystal with a signal processing circuit and external filter capacitors. Circuit simulation showed that such a converter remains operational at an absorbed dose of gamma radiation equal to 1 Mrad and exposure to a neutron fluence of 1 ⋅ 1013 n/cm2. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54442 |
| Appears in Collections: | Том 22, № 1 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Galkin_Precizionnyj.pdf | 674.52 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.