https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/56828| Title: | Приборно-технологическое моделирование РТ-БТИЗ, сформированного на объёмном кремнии |
| Authors: | Тхань, Н. Ч. Ловшенко, И. Ю. |
| Keywords: | материалы конференций;биполярные транзисторы;конструктивно-технологические параметры;приборно-технологическое моделирование |
| Issue Date: | 2024 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Тхань, Н. Ч. Приборно-технологическое моделирование РТ-БТИЗ, сформированного на объёмном кремнии / Н. Ч. Тхань, И. Ю. Ловшенко // 60-я юбилейная научная конференция аспирантов, магистрантов и студентов учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники» : материалы конференции, Минск, 22–26 апреля 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 66–70. |
| Abstract: | Представлены результаты моделирования конструктивно-технологических параметров приборных структур асимметричного биполярного транзистора с изолированным затвором (РТ-БТИЗ), сформированного в стандартном кремнии. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/56828 |
| Appears in Collections: | 60-я научная конференция аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР (2024) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Than_Priborno_tekhnologicheskoe.pdf | 2.9 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.