Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/57811
Название: Гетеропереходный биполярный транзистор на основе GaAs
Авторы: Кратович, П. С.
Ключевые слова: авторефераты диссертаций;наноэлектроника;приборное моделирование;гетеропереходный биполярный транзистор
Дата публикации: 2024
Издательство: БГУИР
Описание: Кратович, П. С. Гетеропереходный биполярный транзистор на основе GaAs : автореф. дисс. ... магистра технических наук : 1-41 80 01 / Кратович Павел Сергеевич ; Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2024. – 11 с.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/57811
Располагается в коллекциях:1-41 80 01 Микро- и наноэлектроника

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Kratovich_Geteroperekhodnyj.pdf484.3 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.