https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58475| Title: | Нормально закрытый нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе графена и нитрида бора |
| Other Titles: | Патент BY 24362, МПК H 01L 29/737 (2006.01) |
| Authors: | Волчёк, В. С. Стемпицкий, В. Р. |
| Keywords: | патенты;твердотельная электроника;полевые транзисторы;гетероструктурные транзисторы |
| Issue Date: | 2024 |
| Publisher: | Национальный центр интеллектуальной собственности |
| Citation: | Патент BY 24362, МПК H 01L 29/737 (2006.01). Нормально закрытый нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе графена и нитрида бора : № a 20220173 ; заявлено 29.06.2022 ; опубликовано 20.08.2024 / Волчёк В. С., Стемпицкий В. Р. ; заявитель Учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники". – 6 с. |
| Abstract: | Изобретение относится к области твердотельной электроники, в частности к конструкции гетероструктурного полевого транзистора, и может быть использовано в качестве элемента при создании интегральных микросхем силовой и сверхвысокочастотной электроники. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58475 |
| Appears in Collections: | Изобретения |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Pat_24362.pdf | 466 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.