https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58734| Title: | Конструктивные решения приборных структур биполярных транзисторов с изолированным затвором и вертикальным расположением канала |
| Other Titles: | Design solutions for device structures of bipolar transistors with an insulated gate and a vertical channel arrangement |
| Authors: | Чонг Тхань Нгуен Дао Динь Ха Ловшенко, И. Ю. Стемпицкий, В. Р. |
| Keywords: | доклады БГУИР;компьютерное моделирование;биполярные транзисторы;конструкция Trench-IGBT |
| Issue Date: | 2024 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Конструктивные решения приборных структур биполярных транзисторов с изолированным затвором и вертикальным расположением канала = Design solutions for device structures of bipolar transistors with an insulated gate and a vertical channel arrangement / Чонг Тхань Нгуен, Дао Динь Ха, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий // Доклады БГУИР. – 2024. – Т. 22, № 6. – С. 81–89. |
| Abstract: | Представлены результаты компьютерного моделирования эксплуатационных характеристик приборных структур биполярного транзистора с изолированным затвором (англ. IGBT) и вертикальным расположением канала, сформированных в соответствии с технологиями Trench-IGBT, суперпереходной Trench-IGBT (SJ-IGBT), SJ-IGBT с глубокой канавкой (DT-SJ-IGBT), SJ-IGBT с плавающей p-областью (FP-SJ-IGBT) и Trench-IGBT со ступенчатым легированным коллектором. Рассмотрены особенности функционирования конструктивных решений такого биполярного транзистора. Исследована конструкция Trench-IGBT со ступенчатым легированным коллектором, которая обеспечивает уменьшение потерь при выключении. |
| Alternative abstract: | This work presents the results of computer simulations of the operational characteristics of vertical channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) device structures designed according to the following technolo gies: Trench-IGBT, Superjunction Trench-IGBT (SJ-IGBT), Deep Trench SJ-IGBT (DT-SJ-IGBT), Floating p-region SJ-IGBT (FP-SJ-IGBT), and Step-Doped Collector Trench-IGBT. The operating principles of these insulated gate bipolar transistor design solutions are discussed. A particular focus is placed on the Step-Doped Collector Trench-IGBT structure, which demonstrates reduced switching losses. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58734 |
| DOI: | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-6-81-89 |
| Appears in Collections: | Том 22, № 6 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| CHong_Than_Nguen_Konstruktivnye.pdf | 636.84 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.