Емкостные свойства пленочных структур из графитоподобного нитрида углерода

Фам, В. Т.; Максимов, С. Е.; Уткина, Е. А.; Чубенко, Е. Б.; Борисенко, В. Е.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58736

Title:	Емкостные свойства пленочных структур из графитоподобного нитрида углерода
Other Titles:	Capacitance of film structures including graphitic carbon nitride
Authors:	Фам, В. Т. Максимов, С. Е. Уткина, Е. А. Чубенко, Е. Б. Борисенко, В. Е.
Keywords:	доклады БГУИР;МОП-структура;графитовые наноматериалы;нитрид углерода
Issue Date:	2024
Publisher:	БГУИР
Citation:	Емкостные свойства пленочных структур из графитоподобного нитрида углерода = Capacitance of film structures including graphitic carbon nitride / В. Т. Фам, С. Е. Максимов, Е. А. Уткина, Е. Б. Чубенко [и др.] // Доклады БГУИР. – 2024. – Т. 22, № 6. – С. 5–13.
Abstract:	Скоростным осаждением графитоподобного нитрида углерода (g-C3N4) из меламина на подложки из кремния (Si) и алюминия (Al), часть поверхности которых была покрыта оксидом – соответственно SiO2 или Al2O3, с поверхностными пленочными контактами из Al изготовлены структуры Al/g-C3N4/Si/Al, Al/g-C3N4/SiO2/Si/Al, Al/g-C3N4/Al и Al/g-C3N4/Al2O3/Al. На них при комнатной температуре измерены вольт-фарадные характеристики и зависимость емкости от частоты измерительного сигнала. Установлено, что диэлектрическая проницаемость g-C3N4 составляет 14 в структурах на кремнии и 9–10 в структурах на алюминии. Уменьшение диэлектрической проницаемости объясняется образованием Al2O3 на границе g-C3N4/Al в процессе осаждения g-C3N4, на что указывают результаты проведенного рентгенодифракционного анализа сформированных образцов.
Alternative abstract:	Аl/g-C3N4/Si/Al, Al/g-C3N4/SiO2/Si/Al, Al/g-C3N4 /Al and Al/g-C3N4/Al2O3/Al structures were fabri cated by rapid chemical vapor deposition of graphitic carbon nitride (g-C3N4) from melamine onto silicon (Si) and aluminum (Al) substrates partially coated with appropriate oxide – SiO2 or Al2O3 – and Al contacts deposited on the surface. Their capacitance-voltage characteristics and frequency dependence of the capacitance were measured at room temperature. It was found that the permittivity of g-C3N4 is 14 in structures on silicon and 9–10 in structures on aluminum. The decrease in permittivity is explained by the formation of Al2O3at the g-C3N4/Al boundary during the deposition of g-C3N4, as indicated by the results of the X-ray diffraction analysis of the formed samples.
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58736
DOI:	http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-6-5-13
Appears in Collections:	Том 22, № 6

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Fam_Emkostnye.pdf		964.24 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar