https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58787| Title: | Analysis of temperature dependent parameters of graphene/n-Si heterojunction |
| Other Titles: | Анализ температурных зависимостей параметров гетероперехода графен/n-Si |
| Authors: | Dronina, L. A. Kovalchuk, N. G. Danilyuk, A. L. Lutsenko, E. V. Danilchyk, A. V. Prischepa, S. L. |
| Keywords: | материалы конференций;Schottky diodes;graphene;current-voltage characteristic |
| Issue Date: | 2024 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Analysis of temperature dependent parameters of graphene/n-Si heterojunction = Анализ температурных зависимостей параметров гетероперехода графен/n-Si / L. A. Dronina, N. G. Kovalchuk, A. L. Danilyuk, E. V. Lutsenko [et al.] // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 46–49. |
| Abstract: | In this study, the forward bias I-V characteristics of graphene/n-Si heterojunctions were studied in the wide temperature range of 10–320 K in order to get detailed information on the barrier heights distribution (𝜑𝜑𝐵𝐵). The Schottky parameters (𝜑𝜑𝐵𝐵, η) are estimated in the framework of the thermoelectron emission theory using Cheung-Cheung method considering the presence of the interface native oxide layer. At room temperature, we obtain an ideality factor of about 2.5 and a Schottky barrier height of ~0.22 eV, which reduces at lower temperatures. A quantitative analysis of the inhomogeneity in Schottky barrier heights is presented using the potential fluctuation model proposed by Werner and Guttler. |
| Alternative abstract: | В данной работе исследовались прямые темновые вольтамперные характеристики гетероперехода графен/n-Si в широком температурном диапазоне 10-320 K с целью получения детальной информации о распределении высоты барьеров (φB). Основные параметры диода Шоттки (φB, η) оценены в рамках теории термоэлектронной эмиссии по методу Чунгов с учетом наличия межфазного оксидного слоя. Установлено, что при комнатной температуре коэффициент неидеальности достигает значения ~2,5, а высота барьера Шоттки ~0,22 эВ. Количественный анализ неоднородности высоты барьера Шоттки представлен с использованием модели предложенной Вернером и Гуттлером. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58787 |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2024) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Dronina_Analysis_of_temperature.pdf | 441.5 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.