https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58796| Title: | Зонная структура аксиально-деформированного в направлении (100) монослоя дисульфида |
| Other Titles: | Band structure of axially deformed (100) rhenium disulphide monolayer |
| Authors: | Козич, А. В. Баглов, А. В. Хорошко, Л. С. Мигас, Д. Б. |
| Keywords: | материалы конференций;электронная структура;дисперсия зоны;энергетическая щель;стрейнтроника;дисульфиды;рений;теория функционала плотности;моделирование |
| Issue Date: | 2024 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Зонная структура аксиально-деформированного в направлении (100) монослоя дисульфида = Band structure of axially deformed (100) rhenium disulphide monolayer / А. В. Козич, А. В. Баглов, Л. С. Хорошко, Д. Б. Мигас // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 92–95. |
| Abstract: | Путем численного квантово-механического моделирования методами из первых принципов исследована зонная структура монослоя дисульфида рения в условиях его аксиального деформирования растяжением в направлении (100). Установлено, в области исследованных деформаций (до 5% с шагом 0,5%) сохраняется кристаллическая структура с пространственной группой P1 с небольшим компенсирующим растяжение изменением углов и длин межатомных связей. Показано, что в области исследованных деформаций материал сохраняет полупроводниковые свойства с равномерным уменьшением ширины запрещенной зоны на 0,32 эВ. Ожидается, что дальнейшая деформация будет приводить к переходу в непрямозонный полупроводник с уменьшением ширины запрещенной зоны. |
| Alternative abstract: | The band structure of a rhenium disulfide monolayer was studied under axial deformation by stretching in the (100) direction within numerical modelling of quantum-mechanical from first-principles methods. It was found that within the range of the investigated deformations (up to 5% with a step of 0.5%), the crystal structure with the space group P1 is maintained with a minor stretch-compensating alteration in the angles and lengths of interatomic bonds. The material maintains its semiconductor characteristics, exhibiting a consistent reduction in the band gap by 0.32 eV within the range of deformations examined. It is expected that further deformation will lead to the transition to an indirect-gap semiconductor, accompanied by a reduction in the band gap. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58796 |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2024) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Kozich_Zonnaya_struktura.pdf | 555.52 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.