https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58801
Title: | Зарядовые свойства гетероструктуры пленки углеродных нанотрубок на кремнии при облучении ультрафиолетом |
Other Titles: | Charge properties of a heterostructure of carbon nanotubes film on silicon under ultraviolet irradiation |
Authors: | Курапцова, А. А Данилюк, А. Л. |
Keywords: | материалы конференций;компьютерное моделирование;ультрафиолетовое излучение;гетероструктура;Comsol Multiphysics;углеродные нанотрубки |
Issue Date: | 2024 |
Publisher: | БГУИР |
Citation: | Курапцова, А. А. Зарядовые свойства гетероструктуры пленки углеродных нанотрубок на кремнии при облучении ультрафиолетом = Charge properties of a heterostructure of carbon nanotubes film on silicon under ultraviolet irradiation / А. А. Курапцова, А. Л. Данилюк // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 75–78. |
Abstract: | В работе путем компьютерного моделирования с помощью программного пакета Comsol Multiphysics исследуются зарядовые свойства гетероструктуры пленка одностенных углеродных нанотрубок (ОУНТ) на кремнии в условиях падающего на гетероструктуру излучения длиной волны 300 нм. В результате моделирования были обнаружены зависимости поверхностной плотности электрического заряда σ и потенциала Vs от энергии Et ловушечных состояний на поверхности пленки, монотонное уменьшение данных значений с ростом Et, а также отличие в значениях данных величин в условиях наличия падающего излучения и его отсутствия. Наибольшая разница в значениях σ при наличии излучения и его отсутствии была обнаружена при Et=0 эВ и составила 10-6 мкКл/см-2. Различие в значениях Vs слабо отличалось для каждого значение энергии Et и составляло примерно 47 мВ. |
Alternative abstract: | In this work, the charge properties of a heterostructure of a single-wall carbon nanotubes (SWCNT) film on silicon under irradiation of 300 nm wavelength are investigated by using computer modeling with the Comsol Multiphysics software package. As a result of modeling, the dependences of the surface electric charge density σ and the potential Vs on the energy Et of trap states on the film surface, a monotonic decrease in these values with increasing Et, as well as a difference in these values under conditions of the presence of incident irradiation and its absence were found. The greatest difference in the σ values in the presence and absence of irradiation was found at Et=0 eV and was 10-6 μC/cm-2. The difference in the Vs values was slightly different for each value of the energy Et and was approximately 47 mV. |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58801 |
Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2024) |
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Kurapcova_Zaryadovye_svojstva.pdf | 323.51 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.