https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59980| Title: | Технология атомно-слоевого осаждения для создания наноструктур |
| Other Titles: | Atomic layer deposition technology for nanostructure fabrication |
| Authors: | Герасимчук, С. Н. Афанасьев, А. А. Сухоцкий, М. С. |
| Keywords: | материалы конференций;атомно-слоевое осаждение;наноструктуры;тонкие пленки |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Герасимчук, С. Н. Технология атомно-слоевого осаждения для создания наноструктур = Atomic layer deposition technology for nanostructure fabrication / С. Н. Герасимчук, А. А. Афанасьев, М. С. Сухоцкий // Электронные системы и технологии : сборник материалов 61-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 21–25 апреля 2025 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2025. – С. 300–302. |
| Abstract: | . В работе представлен комплексный анализ технологии атомно-слоевого осаждения (ALD) с акцентом на осаждение оксида алюминия. На основании обобщения литературных данных рассмотрены принципы метода, оптимальные параметры процесса (температура 200±2°C, скорость роста 0,11±0,01 нм/цикл), а также его уникальные возможности по созданию конформных покрытий на структурах с соотношением сторон> 50:1. Особое внимание уделено применению ALD в микроэлектронике, энергетике и катализе. Систематизированы перспективные направления развития технологии, включая создание многослойных структур и интеграцию с другими нанотехнологическими методами. |
| Alternative abstract: | The paper presents a comprehensive analysis of atomic layer deposition (ALD) technology with an emphasis on aluminum oxide deposition. Based on a summary of literature data, the principles of the method, optimal process parameters (temperature 200±2°C, growth rate 0.11±0.01 nm/cycle), and its unique capabilities for creating conformal coatings on structures with an aspect ratio of >50:1 are considered. Particular attention is paid to the use of ALD in microelectronics, power engineering, and catalysis. Promising areas of technology development are systematized, including the creation of multilayer structures and integration with other nanotechnological methods. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59980 |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 61-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2025) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Gerasimchuk_Tekhnologiya.pdf | 765.37 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.