https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61389| Title: | Электрофизические свойства структур с пленками титаната бария и оксида алюминия, сформированными золь-гель-методом на титане |
| Other Titles: | Electrophysical properties of structures with barium titanate and oxide films formed by the sol-gel method on titanium |
| Authors: | Махмутов, Р. Т. Гапоненко, Н. В. Лашковская, Е. И. Меледин, К. И. Кашко, И. А. Малышев, А. Д. Судник, Л. В. |
| Keywords: | доклады БГУИР;золь-гель-метод;конденсаторы;титанат бария;титан;микродиски;волноводы;фотолитография |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Электрофизические свойства структур с пленками титаната бария и оксида алюминия, сформированными золь-гель-методом на титане = Electrophysical properties of structures with barium titanate and oxide films formed by the sol-gel method on titanium / Р. Т. Махмутов, Н. В. Гапоненко, Е. И. Лашковская [и др.] // Доклады БГУИР. – 2025. – Т. 23, № 3. – С. 12–18. |
| Abstract: | Золь-гель-методом сформированы пленки оксида алюминия и титаната бария на подложках из титана и окисленного монокристаллического кремния. Исследована зависимость емкости и тангенса угла диэлектрических потерь от частоты конденсаторной структуры Al2O3/BaTiO3/Ni в диапазоне 200 Гц–200 кГц на подложке из титана с использованием подложки в качестве нижнего электрода. В области высоких частот (20–200 кГц) среднеквадратичное отклонение емкости составило 95–97 пФ, низких частот (0,2–10,0 кГц) – 80–94 пФ. Значения емкости и тангенса угла диэлектрических потерь сохранялись в пределах установленных значений среднеквадратичного отклонения в течение года. Приведены примеры изображений микродисков и волноводов, полученных методами фотолитографии и химического травления структур c пленками Al2O3, SiO2 и BaTiO3 для последующих разработок планарных волноводов и электрооптических модуляторов. |
| Alternative abstract: | Aluminum oxide and barium titanate films were formed on titanium and oxidized single-crystal silicon substrates using the sol-gel method. The dependence of the capacitance and the dielectric loss tangent on the frequency of the Al2O3/BaTiO3/Ni capacitor structure was studied in the range of 200 Hz–200 kHz on a titanium substrate using the substrate as the lower electrode. In the high-frequency region (20–200 kHz), the standard deviation of the capacitance was 95–97 pF, and in the low-frequency region (0.2–10.0 kHz), it was 80–94 pF. The capacitance and dielectric loss tangent values remained within the established standard deviation values for a year. Examples of images of microdisks and waveguides obtained by photolithography and chemical etching of struc |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61389 |
| DOI: | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2025-23-3-12-18 |
| Appears in Collections: | Том 23, № 3 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Mahmutov_EHlektrofizicheskie.pdf | 1.48 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.