Моделирование перспективных приборов наноэлектроники. Модели

Abstract

Предложены модели перспективных приборов на основе 2D-материалов, а именно: квантовая диффузионно-дрейфовая модель полевого транзистора на двухслойном графене, модель резонансно-туннельных структур на основе 2D-материалов с вертикальным транспортом и модель резонансно-туннельных диодов, содержащих GaN, с вертикальным транспортом. С использованием моделей проведены исследования электрических характеристик приборных структур, включающих одно- и двухслойный графен, диоксид молибдена, карбид кремния, диселенид вольфрама, нитрид галлия. В части I рассмотрены предложенные модели.